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【引言】在溶液加工的钙钛矿薄膜中，高学更好固有缺陷难以避免。时域从头算模拟显示，高学更好在存在IV-1空位(I-缺失)的情况下，非辐射电荷复合基本上不受影响。
高学更好在钙钛矿合成期间和在涉及电荷流动的器件操作条件下都会出现该问题。中性碘空位IV在CB附近产生态，高学更好而IV+1产生浅层和深层空穴阱。高学更好图2用于计算的MAPbI3结构a)原始MAPbI3的优化结构。
高学更好单一还原碘化物空位的空穴捕获与自由电子和空穴复合同时发生可加速电荷损失5倍。高学更好图5电荷捕获和复合动力学原始和缺陷MAPbI3中涉及电荷捕获和重组的关键态群体的演变。
【小结】综上所述，高学更好作者证实MAPbI3钙钛矿中碘空位缺陷的氧化态对电荷载流子捕获和复合具有强烈影响。
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